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ICP ALD(电感耦合原子层沉积设备)

ICP ALD(电感耦合原子层沉积设备)


ICP ALD(电感耦合原子层沉积设备)采用的是远程等离子的方法,与CCP ALD相比,等离子不直接作用于衬底,具有更温和的等离子能量,能够在提高反应活性的同时,不对衬底产生损伤。

详情介绍

加热温度:0-400℃
基片尺寸:4寸、6寸
等离子功率:0W-1000W

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