CCP ALD

CCP ALD（电容耦合原子层沉积设备）是在Thermal ALD的基础上引入了电容耦合等离子体，利用电场对气体放电，产生等离子体激活前驱体的反应活性，与Thermal ALD相比可以有效拓宽ALD反应窗口，提高沉积速率，降低薄膜中杂质含量，同时，等离子体引入后可以使活性较低的前驱体源满足ALD反应需求，从而拓展前驱体的选择范围。被广泛应用于对温度敏感材料和柔性衬底上薄膜的沉积，具备均匀的加热，高精度的控制特点