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Thermal ALD

Thermal ALD


Thermal ALD是一种使用热能作为反应能,在加热的衬底上连续脉冲通入气相前驱体源和反应物,并在衬底上发生反应生成薄膜的一种设备。由于原子层沉积的表面反应具有自限制性,在每个反应周期可以实现单原子层厚度,因此可以通过控制反应周期的数量获得膜层均匀、保形性好、台阶覆盖率高以及厚度控制的薄膜。

详情介绍

设备技术参数:
加热温度:0-400℃
基片尺寸:4寸、6寸、8寸
匹配的臭氧浓度:100g/Nm3-350g/Nm3

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